?? 隨著感應(yīng)加熱技術(shù)的不斷創(chuàng)新，高節(jié)能、低成本已經(jīng)成了感應(yīng)加熱設(shè)備發(fā)展的方向，也是感應(yīng)加熱技術(shù)人員努力的目標(biāo)。而串聯(lián)逆變在其中也扮演著越來越重要的角色。
下面，我們以500kw透熱設(shè)備為例，就可控硅串聯(lián)逆變、可控硅并聯(lián)逆變以及igbt串聯(lián)逆變在耗電量、功率因數(shù)和設(shè)備價格方面進行一個比較。
逆變電路 | 加熱溫度 | 噸耗電量 （kwh/T） | 功率因數(shù) | 價格 （萬元） |
可控硅串聯(lián)逆變 | 1250℃ | 320-350 | 0.98 | 13 |
可控硅并聯(lián)逆變 | 1250℃ | 400-450 | 0.8-0.9 | 6-8 |
IGBT串聯(lián)逆變 | 1250℃ | 320-350 | 0.98 | 17 |
從上表可以看出，在節(jié)能方面，串聯(lián)逆變較并聯(lián)逆變有著更為明顯的效果，而價格方面，可控硅串聯(lián)逆變較IGBT串聯(lián)逆變又有著較大的優(yōu)勢。
通過上表的比較，客戶在選擇設(shè)備時，可根據(jù)生產(chǎn)特點，資金狀況等因素選擇最適合自己的設(shè)備。
??
